En noviembre de 1959, en los Laboratorios Bell, Mohamed M. Atalla y Dawon Kahng construyeron el primer transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) funcional del mundo. El concepto de transistor de efecto de campo llevaba teorizado desde las patentes de Julius Lilienfeld en los años 1920, pero nadie había logrado construir uno práctico porque los 'estados superficiales' del silicio bloqueaban el efecto de campo. Atalla resolvió el problema con su técnica de pasivación superficial (crecimiento de una capa de dióxido de silicio térmico sobre el silicio), desarrollada entre 1957 y 1958, y junto con Kahng la aplicó para fabricar el primer MOSFET operativo. A diferencia del transistor bipolar de unión (Bardeen-Brattain-Shockley, 1947-48), el MOSFET resultó ser mucho más fácil de miniaturizar y aislar en un chip, y se convirtió en el tipo de transistor dominante en prácticamente todos los circuitos integrados modernos.