Esther M. Conwell y Victor F. Weisskopf publican el primer modelo teórico riguroso de cómo los electrones se dispersan al chocar con átomos de impureza ionizados dentro de un semiconductor, explicando cómo la movilidad de los portadores de carga varía según la temperatura y el nivel de dopaje. El trabajo, completado en 1943 pero publicado hasta 1950 por circunstancias diversas, transformó el diseño de semiconductores de un proceso empírico de ensayo y error a una ciencia predictiva basada en modelos físicos cuantitativos, sentando las bases teóricas que décadas después permitirían simular por ordenador el comportamiento de dispositivos antes de fabricarlos.