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Célula de memoria dinámica de un transistor (DRAM 1T1C) — Robert H. Dennard

1968 d.C. · Transmisión: Global
ElectrónicaInventoNorteamericana

En 1967-1968, Robert H. Dennard, en el IBM Thomas J. Watson Research Center, inventó la célula básica de memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) de un solo transistor y un condensador (1T1C): cada bit se almacena como carga eléctrica en un condensador, controlado por un único transistor de acceso. Esta arquitectura, radicalmente más simple y densa que las células multi-transistor previas, permitió construir memorias semiconductoras de alta densidad y bajo coste por bit, sustituyendo a las memorias de núcleos magnéticos. La célula 1T1C de Dennard es, hasta hoy, la arquitectura fundamental de prácticamente toda la memoria principal (RAM) de los ordenadores modernos.

InstituciónIBM Thomas J. Watson Research Center
Región históricaYorktown Heights, Nueva York, EE.UU.
Fuente primariaDennard, R.H. — "Field-Effect Transistor Memory", Patente US 3.387.286, presentada el 14 de julio de 1967, concedida el 4 de junio de 1968.
Fuente secundariaComputer History Museum — "The Storage Engine: 1970 — Semiconductors compete with magnetic cores"
Lengua originalen
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