En 1959, Jean A. Hoerni (Fairchild Semiconductor) inventó el proceso planar, una técnica de fabricación que permite construir circuitos integrados completos sobre una única capa de silicio (oblea), protegiendo y aislando los elementos del circuito mediante una capa de óxido. Sobre esa base tecnológica, Robert N. Noyce diseñó el circuito integrado planar, resuelto de forma distinta al IC de germanio que Jack Kilby había demostrado en Texas Instruments en 1958: mientras el de Kilby era una prueba de concepto con conexiones por cable, el de Noyce usaba el propio proceso planar para fabricar e interconectar todos los elementos sobre la oblea, lo que lo hizo industrialmente escalable. Este par de invenciones catapultó a la industria de semiconductores a la era del IC de silicio y sentó las bases de la industria de circuitos integrados actual.