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CMOS (semiconductor de óxido metálico complementario) — Frank Wanlass y Chih-Tang Sah

1963 d.C. · Transmisión: Global
ElectrónicaInventoNorteamericana

En febrero de 1963, Frank Wanlass y Chih-Tang Sah, en los laboratorios de I+D de Fairchild Semiconductor, presentaron en la International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) el concepto de circuitos lógicos CMOS: combinar transistores MOS de canal p y canal n en una configuración de simetría complementaria. El resultado eran circuitos que consumían una potencia estática cercana a cero (órdenes de magnitud menor que las tecnologías bipolares contemporáneas). Wanlass patentó la idea (patente US 3.356.858, presentada en junio de 1963, concedida en 1967). El CMOS acabaría convirtiéndose en el proceso de fabricación estándar para prácticamente todos los circuitos integrados VLSI modernos, desde microprocesadores hasta memorias.

InstituciónFairchild Semiconductor (R&D Laboratory)
Región históricaPalo Alto, California, EE.UU.
Fuente primariaSah, C.T.; Wanlass, F.M. — "Nanowatt Logic Using Field-Effect Metal-Oxide Semiconductor Triodes", International Solid-State Circuits Conference Digest of Technical Papers, 20 de febrero de 1963, pp.32-33; Wanlass, F.M. — Patente US 3.356.858, "Low Stand-By Power Complementary Field Effect Circuitry", presentada el 18 de junio de 1963, concedida el 5 de diciembre de 1967.
Fuente secundariaComputer History Museum — "The Silicon Engine: 1963 — Complementary MOS Circuit Configuration is Invented"; Wanlass, F.M. — "Wanlass's CMOS circuit" (IEEE retrospective, Proceedings of the IEEE)
Lengua originalen
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